LiF超薄层引起的OLEDs发光光谱展宽

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将LiF插入到发光层Alq3中,制备了有机电致发光器件(OLED),其器件的结构为:ITO/NPB(45nm)/Mq3(znm)/LiF(0.3nm)/Alq3[(45-x)nm]/A1(150nm)。发现器件的电致发光谱(Electroluminescencespectra,EL)有非常明显的展宽现象,这为白光器件的制备提供了一条简单的途径。通过对比LiF在Alq3中不同厚度处的发光谱,发现在x=10时谱线展宽最显著,器件最大亮度在22V时达到8260cd/m。,最大效率可达4.83cd/A,并对其光谱
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