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采用MEDICI软件，用电流注入和X射线辐照两种方法，对瞬态辐照引起的CMOS电路的闩锁特性进行模拟，研究了闩锁闽值与脉冲宽度的关系；将计算结果与实验测量结果进行比较，结果表明：随着脉冲宽度的增加，辐射损伤的剂量率阈值随之降低，而辐射损伤的总剂量阈值随之增加，CMOS电路的剂量率闩锁阂值与脉冲宽度的倒数成正比。