半超结相关论文
SiC材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等优点,是制作功率半导体器件的理想材料。碳化硅绝缘栅双极型......
为详细研究超级结体内独特的二维电场分布,通过Silvaco软件建立半导体超级结器件基本结构(超级结PiN),展开直观的定量仿真分析.在......
Si C半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)相对于常规VDMOSFET在相同导通电阻下具有更大击穿电压.在N型外延层上进......
为了改善功率器件导通电阻与击穿电压的折中关系，提出了半超结理论及其设计方法。在原胞部分研究了各个器件结构参数的深度和浓度的......
本文对半超结逆导IGBT这一新型结构的导通机理进行分析。通过SilvacoTCAD软件仿真验证,半超结RC-IGBT的耐压能力、正反向导通能力......
通过将功率二极管改变为非对称阳极结构及优化超结深宽比等参数来提升器件的性能。分析了其动态特性和静态特性变化规律。结果表明......
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种利用MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)驱动BJT(Bipola......
常规的硅器件结构达不到现在人们的需求，而且硅还受到自身材料的束缚“硅极限”[1]，因此人们建立了新型结构---超结结构[2]。超结结......
本论文主要研究的是高压功率MOSFET元胞结构,目标是通过元胞结构参数的仿真分析,设计出一款耐压高、特征导通电阻和特征栅漏电容小......
给出了一个完整的半超结MOS的设计方法,包括超结部分浓度的确定,电压支持层部分的深度和浓度的优化。借助二维器件仿真讨论了在原......
提出了一种具有三明治集电极结构的半超结RC-IGBT(SSS-RC-IGBT),该结构通过在N+buffer层和P+/N+集电区之间引入高阻N-layer,增大了......
本文主要针对半超结VDMOS器件的设计和应用进行简要讨论分析,并通过超结器件的工作原理缺点以及使用的改进方法,对其进行理论性质......
4H-SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管（VDMOSFET）由于N型底部辅助层（NBAL）的引入,可以采用相对较小深宽比的超结结构,从而......
设计了一款VDMOS器件的元胞结构,采用半超结结构模型.传统VDMOS结构的导通电阻会随着击穿电压的增长而增长,而半超结结构可以缓和......
功率MOSFET具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、频率特性好以及热稳定性高等优点,获得越来越广泛的应用。市场的广泛应用,对......
SiC功率器件在近二十年得到了较快的发展，评价其特性的FOM在不断提高，在不久的将来有望达到SiC材料的理论极限。在这种背景下，本文提......
将SiGe材料的优异性能与半超结结构的优势相结合,提出了一种半超结SiGe功率二极管,可适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压......
