耦合量子阱相关论文
玻色－爱因斯坦凝聚成为探索量子世界的一种新方法，而且在半导体纳米结构中激子的凝聚研究取得了很大进展。实验上利用耦合量子阱间接......
利用数值模拟方法,研究InGaN/GaN耦合量子阱结构光电性质相对传统量子阱结构光电性质改善的物理机制。模拟结果显示,与InGaN/GaN传......
GaN基微腔发光器件主要包括垂直腔面发射激光器(VCSELs)和谐振腔发光二极管(RCLEDs)。它们除了具有一般的半导体发光器件拥有的体......
学位
本文通过考虑Rashba自旋轨道耦合，研究了InAs/InAlAs耦合量子阱系统中，局域自旋极化密度随时间演化的问题.同时还研究了量子阱结构尺......
在有效质量近似下，详细研究了直接带隙Ge／GeSi耦合双量子阱中带间光跃迁吸收系数和阈值能量随量子阱结构参数的变化情况。结果表明：随......
提出了一种基于在GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料子带跃迁的量子干涉的半导体弱光开关.分析了弛豫速率γ21对光开关的影响.这种......
提供一种新的解法,经过求解微分方程很简单地得到了与殷雯(物理学报52 1862)同样的结果.殷文通过精确求解含时量子体系,研究了在周......
在介电连续近似下,推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模.为了描述受限纵光学声子的......
玻色-爱因斯坦凝聚成为探索量子世界的一种新方法，而且在半导体纳米结构中激子的凝聚研究取得了很大进展。实验上利用耦合量子阱间......
定量分析了电子在周期驱动耦合量子阱中的运动情况，导出了绝热近似条件下时间演化算符的表示，计算了不同初始条件下阱中电子数分布随......
考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应，基于密度矩阵与久期处理方法，理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光......
<正> We investigate the inter-well coupling of multiple graphene quantum well structures consisting of graphenesuperlatt......
回顾了近年来耦合量子阱中激子玻色-爱因斯坦凝聚的研究进展和主要实验成果,提供了耦合量子阱中间接激子凝聚的实验证据和高度简并......
采用无限深势阱模型分析对称耦合量子阱中最低子能级的形成,并利用二能级体系理论给出对称耦合量子阱中各子能级随外电场的变化规......
Polar Interface Optical Phonon Modes and Froehlich Electron－Phonon Interaction Hamiltonians in an Ar
By using determinant method as in our recent work, the IO phonon modes, the orthogonal relation for polarization vector,......
定量分析了电子在周期驱动耦合量子阱中的运动情况,导出了绝热近似条件下时间演化算符的表示,计算了不同初始条件下阱中电子数分布......
“量子级联激光器是基于半导体耦合量子阱子带间电子跃迁的单极半导体激光器，其波长可以覆盖从几微米到上百微米的中、远红外波段。......
与Ga N基正装结构发光二极管(Light Emitting Diode,LEDs)芯片相比,Ga N基垂直结构LED芯片解决了电流密度过大及导致散热不佳等问......
氮化物半导体，具有宽禁带和强束缚能等特点，在量子器件设计中，比GaAs基半导体具有更广阔的应用前景。氮化物半导体的晶体结构有两类：六......
