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1990—1994年世界微处理器市场预测
【出 处】
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计算机应用
【发表日期】
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1991年02期
其他文献
本文计算了太阳射电缓变成分(SVC)的射电辐射,着重研究了由联合辐射机制产生的SVC辐射的主要辐射特性(亮度分布、亮温度谱、流量密度谱、偏振度谱)和SVC辐射源的几何特性(高度和半径),及其随磁场强度的变化。
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本文从Kadomtsev-Petviashvili方程的对称性约化出发,得到了具有任意函数作为变系数的推广的Boussinesq方程和推广的KdV方程.利用Weiss和Kruskal等建立的奇性分析方法,我们证明了这两个方程可积的充分条件:Painlevé性质。得到了这两个方程的Bcklund变换和奇性流形方程(推广的Schwartz-Boussinesq方程和Schwartz-KdV方程)。并由
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本文在直流磁控溅射系统中制备了Al-N-F与Al-O-F介质薄膜,确定了它们的光学常数。研制成了以Al-N-F减反射膜的多层渐变Al-N与Al底层的太阳选择性表面,其反射率与吸收率的理论计算与实验测量的结果相符。在单个铝阴极的圆柱磁控溅射系统中往一批玻璃管上沉积了Al-N-F/渐变Al-N/Al选择性吸收表面,其性能优异,制备成本低,具有实用前景。
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本文研究了Nd-Fe(Co,Al,Ga)-B永磁合金的磁性能并且用Mssbauer谱仪等手段研究了Al,Co,Ga诸原子在上述合金中的晶位占据。选用粉末冶金方法研制出上述实用磁体,其磁性能是:B_r=1.19T,_jH_G=1130kA/m,(BH)_(max)=262kJ/m~3,α(B,)=0.04％/℃,T_c=450—550℃。研究结果发现Al原子主要占据j_2晶位;Ga原子优先占据j_2
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世界时的预测可分为确定性成分的预测和随机性成分的预测两个部分。本文采用NEOS两年期间每天的UT1-UTC资料,用线性拟合外推和周期拟合外推方法预测世界时序列的确定性成分;用自适应AR模型的RLS递推算法预测世界时序列的随机性成分,综合两个部分的结果,获得较好的预测效果。步长为60d的预测精度达到0~s.0038。
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本文报道了Ar和F离子注入对YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜电学性能及结构的影响,通过X射线衍射和电阻温度关系的测量研究了离子注入后YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜T_c,J_c和结构的变化。实验中发现,在低剂量注入情况下,T_c和J_c随着注入剂量的增加而下降。但是,上临界温度和X射线衍射谱却几乎保持不变。当Ar离子的注入剂量达到1.2×10~(13)Ar/cm~2时,样品发生金属一
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本文用SCF-X_α-SW方法研究了镍基高温合金中含镁r′相的电子结构。基于建立的计算模型,给出了体系的能级、态密度、分波局域态密度以及电荷分布。Mg置换Al后,使得能谱中低能成键态增加,非占据态移向更浅势阱且能隙增大,所有这些都预示着适量的Mg能使γ′相更稳定。γ′相中Mg的电荷转移有利于Mg溶于γ′相。
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本文首次用模拟位移函数的方法,给出锥形模超塑挤压力学场的解析式以及应变、应变速率和应力的约束方程。由于实验选用的是典型超塑性合金ZnAl_5,所以结果有相当的包络性。即使对于非典型超塑性材料,这种方法亦有普遍意义。
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基于符号解析系统REDUCE之上,作者建立了一个用Lie群法求解线性与非线性的常、偏微分方程(组)解析解的通用软件包。借助于这个软件包,作者探讨了正交异性板的控制微分方程,并获得其对应的常微分方程集合以及原方程全部精确解析解组。
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本文研究了基于特征的产品定义模型,在特征体素构造法则的基础上,描述了产品的形状概念信息,特别是形状特征的形成方法;探讨了特征实体造型方法;讨论了精度信息和非形状信息的表达方法以及它们与形状概念信息之间的关系。
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