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采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴－乙醇腐蚀的ＨｇＣｄＴｅ体单晶片的表面二次电子衬度像。观察表明，研磨造成的晶片表面可见损伤，经机械和溴－乙醇化学抛光后将减少和去除。然而，化学抛光却造成个别表面凹陷和凸出，这些凹凸可能是溴－乙醇对表层夹杂物和基质的腐蚀速度不同所致。
HgCdTe晶片研磨和抛光表面的扫描电镜观察
【摘 要】
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采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴－乙醇腐蚀的ＨｇＣｄＴｅ体单晶片的表面二次电子衬度像。观察表明，研磨造成的晶片表面可见损伤，经机械和溴－乙醇化学抛光后将减
【机 构】
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厦门大学物理系,昆明物理研究所
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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1999年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金,,福建省自然科学基金
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