HgCdTe晶片相关论文
对抛光后的HgCdTe晶片进行了剥层位错腐蚀研究,得到了HgCdTe晶片中位错密度随深度变化的分布情况.表层经腐蚀剥除后,用位错密集区......
对HgCdTe晶片的研磨和抛光,不可避免的要在其表面造成可见的机械划痕和不可见的损伤区.表面损伤对探测器的影响很大,控制好HgCdTe......
使用装有超微显微度测试仪的扫描电子显微镜,对不同取向的HgCdTe晶片施加负荷,负荷压力从2克-0.05克。由于晶体具有各向异性,在相同压力下,不同取向......
用X射线反射形貌术研究了磨抛工艺在用Te溶剂法和布里奇曼法生长的碲镉汞晶片表面引入的损伤,发现精磨精抛的HgCdTe晶片表面的损伤结构与切割......
采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴-乙醇腐蚀的HgCdTe体单晶片的表面二次电子衬度像。观察表明,研磨造成的晶片......