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主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶－凝胶（Sol—Gel）旋转涂覆法，在Si（100）上生长掺镉ZnO薄膜，对薄膜的XRD分析表明，掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构，并沿C轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数：退火温度为800℃，x（Cd）－6％～8％；以普通玻璃为基片的透射光谱表明掺镉ZnO薄膜的禁带宽度约为3．22eV，比纯ZnO晶体禁带宽度3．30eV明显减小，适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。