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对两种不同结构的中波碲镉汞光导红外探测器件的噪声进行了测量,发现叠层结构器件的低频噪声比具有简单结构器件的大。针对叠层结构,提出了用来分析噪声的边缘接触不对称MIS结构模型。分析表明,叠层电极下的碲镉汞表面在偏置电压作用下,容易出现耗尽层是低频噪声增加的主要原因。
中波碲镉汞边缘接触不对称MIS结构的低频噪声
【摘 要】
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对两种不同结构的中波碲镉汞光导红外探测器件的噪声进行了测量,发现叠层结构器件的低频噪声比具有简单结构器件的大。针对叠层结构,提出了用来分析噪声的边缘接触不对称MIS结构模型。分析表明,叠层电极下的碲镉汞表面在偏置电压作用下,容易出现耗尽层是低频噪声增加的主要原因。
【机 构】
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传感技术国家重点实验室
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2004年03期
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