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采用逆序法研究了通过活性反应离子镀技术沉积在单晶硅（１００）上的ｃ－ＢＮ膜生长过程。在Ｘ射线谱分析仪上，用氩离子剥离ｃ－ＢＮ膜并进行膜的成分的深度分布及不同刻蚀深度处膜的价态分析，用富立叶变换红外透射不同刻蚀深度处的膜的相结构。结果表明：在此生长条件下，ｃ－ＢＮ不能在基底上直接成核，而是先在基底上形成一层ｎ－ＢＨ然后ｃ－ＢＮ在其上生长。对这种生长，引用ｃ－ＢＮ膜形成机制的压应力模型给予了解释。