【摘 要】
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本文用我们曾导出的探测率D_λ~*公式计算了表面复合对HgCdTe光导器件的影响。计算结果表明:对77K、8～14μm和300K、3～5μmHgCdTe光导器件,表面复合速度应降到10~3cm/s以下,否
【机 构】
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山东大学光学系,山东大学光学系,山东大学光学系,山东大学光学系,山东大学光学系
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本文用我们曾导出的探测率D_λ~*公式计算了表面复合对HgCdTe光导器件的影响。计算结果表明:对77K、8～14μm和300K、3～5μmHgCdTe光导器件,表面复合速度应降到10~3cm/s以下,否则,D_λ~*将明显下降。随表面复合速度的增加,D_λ~*下降,而最佳厚度增大。本文计算得到了这三者之间的关系。
In this paper, we have derived the detection rate D_λ ~ * formula to calculate the surface recombination of HgCdTe photoconductive devices. The calculated results show that the surface recombination velocity should be reduced to below 10 ~ 3cm / s for 77K, 8 ~ 14μm and 300K, 3 ~ 5μm HgCdTe photoconductive devices. Otherwise, D_λ ~ * will be obviously decreased. As the surface recombination speed increases, D_λ ~ * decreases, while the optimum thickness increases. This article calculated the relationship between these three.
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