【摘 要】
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报道了在钝化界面进行低能等离子体植氢优化的n＋-on-p碲镉汞（HgCdTe）中波（MW,mid-wavelength）光伏红外探测芯片的研究成果.基于由采用分子束外延技术生长的HgCdTe薄膜材料,通过注
【机 构】
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中国科学院上海技术物理所,中国科学院研究生院
【基金项目】
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国防科技创新基金（cxjj-10-m29 9140A02021909zk0703）
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报道了在钝化界面进行低能等离子体植氢优化的n＋-on-p碲镉汞（HgCdTe）中波（MW,mid-wavelength）光伏红外探测芯片的研究成果.基于由采用分子束外延技术生长的HgCdTe薄膜材料,通过注入阻挡层的生长、注入窗口的光刻、形成光电二极管的B＋注入、钝化介质膜的生长、优化钝化界面的等离子体植氢、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了钝化界面植氢优化的HgCdTe中波红外探测芯片.从温度为78K的电流与电压（I-V）和动态阻抗与电压（R-V）特性曲线中,发现钝化界面植氢优化的HgCdTe红外中波
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