0．18μm CMoS工艺下的互连线延迟和信号完整性分析

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：majiguo1984

【摘要】

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随着深亚微米工艺技术条件的应用和芯片工作频率的不断提高,芯片互连线越来越成为一个限制芯片性能提高和集成度提高的关键因素:互连线延迟正逐渐超过器件延迟;互连线上信号

【作者】

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孙加兴叶青周玉梅黑勇叶甜春

【机构】

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中国科学院微电子中心

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

互连线延迟串扰信号完整性噪声 interconnect delay crosstalk signal integrity noise

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随着深亚微米工艺技术条件的应用和芯片工作频率的不断提高,芯片互连线越来越成为一个限制芯片性能提高和集成度提高的关键因素:互连线延迟正逐渐超过器件延迟;互连线上信号传输时由于串扰引起的信号完整性问题已成为深亚微米集成电路设计所面临的一个关键问题.文中分析了芯片中器件和互连线的延迟趋势,模拟分析了0.18 μm CMOS工艺条件下的信号完整性问题.

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