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本文通过两块用不同工艺镀ZnS膜的样品在不同热处理条件下的正电子湮没特性研究,阐明用正电子湮没研究膜的方法,提出膜结构的设想和改善膜质量的方法。
光学介质膜的正电子湮没研究
【摘 要】
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本文通过两块用不同工艺镀ZnS膜的样品在不同热处理条件下的正电子湮没特性研究,阐明用正电子湮没研究膜的方法,提出膜结构的设想和改善膜质量的方法。
【机 构】
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中国科学院福建物质结构研究所,中国科学院福建物质结构研究所
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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1989年6期
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