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n型单晶硅经光电化学阳极刻蚀成多孔硅，研究了多孔硅经硝酸银（AgNO3）水溶液浸泡前后样品的光致发光（PL）性质，实验发现，浸泡很短时间内多孔硅发光强度增强，浸泡时间较长的样品发光强度会衰减直至猝灭，且浸泡液浓度越大荧光衰减越明显。通过扫描电子显微镜（SEM），傅立叶红外光谱（FTIR）和x射线光电子能谱（XPS）的检测显示，AgNO3水溶液浸泡的多孔硅样品表面有金属银析出。光致发光增强是多孔硅表面形成Si-O结构所致，荧光猝灭是因为银在多孔硅表面形成大量非辐射复合中心。