论文部分内容阅读
采用恒电位沉积法制备铜铟合金预制膜，并在管式炉中通过固态源蒸发硫化预制膜得到CuInS2薄膜。通过扫描电镜（SEM）、能量色散谱仪（EDS）和X射线衍射仪（XRD）对CuInS2薄膜的表面形貌、截面厚度、成分组成和薄膜的组织结构进行了研究，并利用紫外可见光吸收谱仪（UV-Vis）研究了不同硫化温度对CuInS2薄膜的形貌及其光学吸收性质的影响。结果表明：不同的退火温度能够影响CuInS2薄膜的表面形貌以及带隙的大小，从而影响其光学吸收特性。