温度对GaN(0001)表面吸附生长TiO2分子的影响

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采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了在300,400,500,600和700℃5种温度下TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的动力学过程,研究了吸附过程中系统能量、动力学轨迹、Mulliken 布居分析、表面成键电子密度分布(ELF)以及扩散系数等性质.结果表明,温度会影响 TiO2分子中两个 O 原子与 GaN 表面两个Ga 原子成键顺序;500℃时 O2—Ga3成键的时间最早,TiO2在 GaN(0001)表面吸附生长的速率最快.600℃下TiO2分子在物理吸附阶段的扩散系数比在50
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