【摘 要】
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采用模型固体理论计算了四元混晶In1-xGaxAsyP1-y/In0.85Ga0.15As0.7P0.3/In1-xGaxAsyP1-y单量子阱系统中电子和空穴的能带结构,研究了流体静压力对能带的调制作用.结果表明：
【机 构】
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集宁师范学院物理系,内蒙古师范大学物理与电子信息学院
【出 处】
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内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)
论文部分内容阅读
采用模型固体理论计算了四元混晶In1-xGaxAsyP1-y/In0.85Ga0.15As0.7P0.3/In1-xGaxAsyP1-y单量子阱系统中电子和空穴的能带结构,研究了流体静压力对能带的调制作用.结果表明：通过引入流体静压力,可以方便地实现单量子阱的能带转型（类型Ⅰ到类型Ⅱ的转变）;当x=0.2,y=0.7时,电子、重空穴、轻空穴能带转型时的临界压力分别约为0.5,8,1.5GPa;0.5GPa≤P〈8GPa时,量子阱的能带均为类型Ⅱ.
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