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采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液，对4组CdSe晶片进行抛光。研究结果表明，采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量。通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光，发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片，获得了最好的抛光效果，电阻率较高，达到3．2×10^8Ω·cm以上，适合CdSe探测器制备。