硅对抑制涂层"氧化缺口"破坏的作用

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本文对比了渗铝和铝-硅涂层的高温抗氧化性能,并用金相和电子探针分析技术研究了涂层的显微组织,从而揭示出硅抑制涂层“氧化缺口”破坏的机理在于:硅降低了铝的内扩散活性,使镍的外扩散活性相对提高,使合金最外表面形成很薄的表层,从而避免了MC碳化物的直接裸露;硅促进了MC-M5C的转化,生成富Si的M6C,从而改善了涂层中碳化物自身的抗氧化性能。
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