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SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射
SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:haohaojc
【摘 要】
:
通过x射线双晶衍射图形了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系。
【作 者】
:
邹德恕
徐晨
【机 构】
:
北京工业大学电子工程系
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2000年1期
【关键词】
:
X射线
双晶衍射
外延生长
硅
锗化硅
异质结构
SiGe/Six-rey DCXDOptical path differenceRelaxation
【基金项目】
:
国家“8 6 3”,,北京市自然基金资助项目
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通过x射线双晶衍射图形了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系。
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