【摘 要】
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针对碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）失效机理的研究,此前主要集中在雪崩失效机理和短路失效机理方面,而对其在极限应力寿命试验后的失效机理研究较少。针对某国产车规SiC MOSFET在高温高湿反偏（H3TRB）和温度循环（TC）极限应力下的漏电失效模式,通过I-U曲线测试、超声扫描检测、漏电/缺陷点定位和失效物理分析等方法,对其失效机理进行了剖析。研究发现衬底材料缺陷和芯片
【基金项目】
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北京科委基金项目（G180600601）~~；
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针对碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）失效机理的研究,此前主要集中在雪崩失效机理和短路失效机理方面,而对其在极限应力寿命试验后的失效机理研究较少。针对某国产车规SiC MOSFET在高温高湿反偏（H3TRB）和温度循环（TC）极限应力下的漏电失效模式,通过I-U曲线测试、超声扫描检测、漏电/缺陷点定位和失效物理分析等方法,对其失效机理进行了剖析。研究发现衬底材料缺陷和芯片贴片不佳分别导致了器件在H3TRB和TC试验后发生失效。国产SiC MOSFET工艺尚不够成熟,衬底材料缺陷和芯片贴片不佳是两种典型的工艺薄弱环节,后续国产同类器件应加以识别和改进。
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