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采用微接触印刷技术和水热生长方法在硅基底上实现了ZnO种子层的图案化转移与纳米线阵列的可控制备.利用X射线衍射（XRD）、能量色散谱（EDS）和扫描电子显微镜（SEM）等测试手段对制备的ZnO纳米线晶体结构、化学组分以及表面形貌进行了表征,并对制备的ZnO纳米线传感器进行了紫外特性测试.测试结果表明：随着紫外光强度的增加,传感器的光暗电流比和光响应度也随之增加.当紫外传感器偏压在4.5V时,其光暗电流比为80.8,响应度可达4.05 A/W.