高压反偏硅PN结的漏电流对研磨损伤层的影响

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本文通过对硅整流管反偏直流产生电流温度关系、伏安特性和对应的深能级瞬态谱(DLTS)的研究,揭示了均为硬转折特性的试样漏电流有较大差异的根源是:表面研磨损伤层引入了新的深中心,使PN结的漏电流增加了一个隧道电流分量;并分析了导电机理.根据理论分析,修正了反偏PN结漏电流理论. In this paper, the current temperature dependence, the volt-ampere characteristic and the corresponding deep level transient spectrum (DLTS) of the silicon rectifier diode reverse biased flow were studied, revealing that there is a great difference in the leakage current The surface grinding damage layer introduces a new deep center, which increases the leakage current of PN junction by a tunnel current component, and analyzes the conduction mechanism.According to the theoretical analysis, the theory of reverse-PN junction leakage current is corrected.
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