An Innovative Method to Improve Model Accuracy by Implementing Multi-models Scheme for 28nm Node and

来源 :微电子制造学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：anysion888

【摘要】

：

As the process comes into 28nm node and below,lithography struggles stronger between high resolution (high NA) and enough process window especially for hole lay

【作者】

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Qingchen Cao Tianhui Li Shuyin

【机构】

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SiEn（QingDao）IntegratedCircuitsCo.,QingdaoUniversity

【出处】

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微电子制造学报

【发表日期】

：

2019年3期

【关键词】

：

Image quality LITHOGRAPHY OPC model MULTI-MODEL

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As the process comes into 28nm node and below,lithography struggles stronger between high resolution (high NA) and enough process window especially for hole layers (Contacts and Vias).Taking more care of process window may result in lower image quality of

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