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本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜．研究结果表明，SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件，可以有效地提高功率器件的可靠性．基于此提出了SIPOS／PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表面特性．
功率半导体器件终端SIPOS／PI复合钝化结构研究
【摘 要】
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本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜．研究结果表明，SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件，可以有效地提高功率器件的可靠性．基于此提
【机 构】
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沈阳职业技术学院电气工程系,哈尔滨工程大学信息与通信工程学院,沈阳炮兵学院雷达教研室,辽宁大学物理学院
【出 处】
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辽宁大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2010年1期
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