【摘 要】
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本文根据固溶强化模型,考虑了等价电子杂质在InP单晶中的溶解度以及掺入杂质与基质原子之间共价半径之差引起的弹性失配.计算了这些杂质在InP 中对位错的钉扎力可达10~9～10~(1
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 北京,北京
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本文根据固溶强化模型,考虑了等价电子杂质在InP单晶中的溶解度以及掺入杂质与基质原子之间共价半径之差引起的弹性失配.计算了这些杂质在InP 中对位错的钉扎力可达10~9～10~(10)达因/厘米~2,从而很好地解释了等价电子杂质降低位错密度的作用.
In this paper, according to the solid solution strengthening model, the mismatch of the solubility of equivalent electronic impurities in InP single crystals and the difference of covalent radii between doped impurities and matrix atoms are considered. The pinning force can reach 10 ~ 9 ~ 10 ~ (10) dyne / cm ~ 2, which can well explain the role of equivalent electronic impurities in reducing dislocation density.
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