论文部分内容阅读
采用射频等离子体增强型化学气相沉积（RF—PECVD）技术，以H2和SiH4作为反应气体源，在不同的衬底温度下沉积了nc-Si：H薄膜。采用Raman散射、x射线衍射、红外吸收等技术分析了薄膜的微结构和氢键合特征。结果表明，随衬底温度的升高，nc-Si：H薄膜的沉积速率不断增大，晶化率和晶粒尺寸增加，纳米硅颗粒呈现出Si（111）晶面的择优生长趋势。键合特性显示，薄膜中的氢含量随衬底温度升高而逐渐减小，薄膜均匀性先增大后减小。