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射频等离子体增强型化学气相沉积相关论文
衬底温度对nc-Si:H薄膜微结构和氢键合特征的影响
采用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF—PECVD)技术,以H2和SiH4作为反应气体源,在不同的衬底温度下沉积了nc-Si:H薄膜。采用Raman散射......
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射频等离子体增强型化学气相沉积
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