【摘 要】
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采用空间一维速度三维的磁流体模型研究了电子的非麦克斯韦分布对具有二次电子发射的磁化等离子体鞘层特性的影响.假设鞘层中电子速度服从非广延分布,离子在具有一定倾斜角度的磁场中被磁化.通过建立自洽的磁流体方程,研究了电子非广延分布参数q及磁场强度和角度对等离子体鞘层玻姆判据、壁面悬浮电势、鞘边二次电子数密度、鞘层厚度、离子速度等的影响.研究表明,当电子速度分布偏离麦克斯韦分布时,非广延参数q值越大,玻姆判据的值越小,壁面电势越高,鞘边二次电子数密度增大,鞘层厚度减小,鞘层区域离子、电子数密度下降加快,且壁面附近
【机 构】
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大连海事大学理学院,大连 116026
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采用空间一维速度三维的磁流体模型研究了电子的非麦克斯韦分布对具有二次电子发射的磁化等离子体鞘层特性的影响.假设鞘层中电子速度服从非广延分布,离子在具有一定倾斜角度的磁场中被磁化.通过建立自洽的磁流体方程,研究了电子非广延分布参数q及磁场强度和角度对等离子体鞘层玻姆判据、壁面悬浮电势、鞘边二次电子数密度、鞘层厚度、离子速度等的影响.研究表明,当电子速度分布偏离麦克斯韦分布时,非广延参数q值越大,玻姆判据的值越小,壁面电势越高,鞘边二次电子数密度增大,鞘层厚度减小,鞘层区域离子、电子数密度下降加快,且壁面附近离子数密度较高,离子3个方向的速度均降低.此外,随着磁场强度增大,鞘层厚度减小,鞘层区域离子、电子数密度下降加快;磁场角度越大,参数q值对壁面电势、鞘层厚度的影响程度越显著,在超广延、亚广延分布情况下壁面附近离子x方向速度随磁场角度变化呈相反趋势.
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