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采用雪崩热电子注入技术研究纳米级富氮SiOxNy薄膜界面陷阱的物理模型。评实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱，随着注入的增长，界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到Dit随雪崩热电子注入剂量增加而增大，禁带上半部Dit的增大较下半部显著。指出了雪崩注入过程中丰SiOxNy界面上产生两种性质不同的电子陷阱，并给出它们能级位置及密度大小关系。揭示出PECVD法形成的这种纳米膜与快速热氮化制备的薄膜中、氮氧含量不同、界面陷阱特性变化不一样，并