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在电子碰撞的情形下,通过对铜靶的特征X射线测量,从而推算出它的K壳层电离截面.在实验中采用了薄靶厚衬底新方法.通过电子输运计算,由厚衬底产生的反射电子对计数的影响得以修正.用蒙特卡罗技术对质量厚度为23μg/cm2的铜靶的多次散射影响作了修正.
电子碰撞引起的铜元素K壳层电离截面的测量与修正
【摘 要】
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在电子碰撞的情形下,通过对铜靶的特征X射线测量,从而推算出它的K壳层电离截面.在实验中采用了薄靶厚衬底新方法.通过电子输运计算,由厚衬底产生的反射电子对计数的影响得以
【机 构】
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四川大学原子核科学技术研究所,成都,610064
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2000年5期
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