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叙述了以双极型工艺为主体的ＢｉＣＭＯＳ结构中ｐ阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在ｐ阱下面采用埋层，抑制或消除了ＢｉＣＯＭＳ中；ｐ阱结构的寄生效应，从而提高了芯片合格率。
BiCMOS结构中阱特性的研究
【摘 要】
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叙述了以双极型工艺为主体的ＢｉＣＭＯＳ结构中ｐ阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在ｐ阱下面采用埋层，抑制或消除了ＢｉＣＯＭＳ中；ｐ阱结构的寄生效应，从而提高了芯片合格率。
【机 构】
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上海贝岭微电子制造公司
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1999年5期
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