Ti/Al/TiN金属化结构中应力空洞的形成机理

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hyj_jsj

【摘要】

：

在 VLSI的金属化中 ,应力引起的失效是个引人关注的问题 ,应力释放形成空洞严重影响器件的可靠性。VLSI工艺实践中 ,发现 Ti/Ti N/Ti/Al/Ti N的金属化结构经过热退火后 ,铝条

【作者】

：

蒋聚小郑国祥黄榕旭宗祥福

【机构】

：

复旦大学材料科学系,上海先进半导体制造有限公司

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2002年04期

【关键词】

：

应力空洞退火浸润层

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在 VLSI的金属化中 ,应力引起的失效是个引人关注的问题 ,应力释放形成空洞严重影响器件的可靠性。VLSI工艺实践中 ,发现 Ti/Ti N/Ti/Al/Ti N的金属化结构经过热退火后 ,铝条上出现空洞。对于铝空洞形成机理进行了研究与分析 ,发现张应力的释放是空洞的成因 ;而在热退火时 ,作为浸润层的 Ti与 Al反应生成Ti Al3,引入的应力是形成空洞的主导因素

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