【摘 要】
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Xerox研究中心已成功地在石英衬底上长出简单的多晶氮化物半导体发光二极管。在近来的实验中 ,David Bour和同事从氮化物 L ED中获得了波长在 4 30 nm处、光谱宽度为 38nm的
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Xerox研究中心已成功地在石英衬底上长出简单的多晶氮化物半导体发光二极管。在近来的实验中 ,David Bour和同事从氮化物 L ED中获得了波长在 4 30 nm处、光谱宽度为 38nm的电致发光 ,发光效率约比在蓝宝石衬底长出的单晶 L ED低两个数量级。因为相对于传统的单晶 L ED材料 ,这
The Xerox Research Center has successfully grown simple polycrystalline nitride semiconductor light-emitting diodes on quartz substrates. In recent experiments, David Bour and colleagues obtained electroluminescence at a wavelength of 4 30 nm and a spectral width of 38 nm from a nitride L ED with a luminous efficiency approximately lower than that of a single crystal L ED grown on a sapphire substrate Two orders of magnitude. Because compared to the traditional single crystal L ED material, this
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