【摘 要】
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<正> 大规模集成电路(LSI),随着集成度的发展,图形愈趋微小型化,并且对尺寸,位置精度的要求也愈趋严格。从光刻掩摸的制造,到光致抗蚀剂的去除,整个光刻工序中的每一个工艺(
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<正> 大规模集成电路(LSI),随着集成度的发展,图形愈趋微小型化,并且对尺寸,位置精度的要求也愈趋严格。从光刻掩摸的制造,到光致抗蚀剂的去除,整个光刻工序中的每一个工艺(设备的选择,配合、保养、材料、药品的选择和使用,工艺最佳条件的掌握,环境安排的设计)都要求提高它们的现有水平。一般来说理想的图形是难于达到的。但是光致抗蚀剂的选择,使用技术对形成微细图形是很重要的条件,这里我们仅就光致抗蚀剂加以说明。
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