半导体超晶格的电子迁移率增强

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分子束外延能够生长原子平滑的层、精确控制层厚度及掺杂的灵活性使其较容易地合成多组分、多层的异质结.然而,在较高的掺杂浓度下,获得高迁移率(如            )普遍认为是困难的,这就大大地限制了这些材料的应用. 1978年,Dingle等首先报道了在分子束外延中采用调 Molecular beam epitaxy can grow atomic smooth layer, precise control of layer thickness and doping flexibility makes it easier to synthesize multi-component, multi-layer heterojunction .However, at higher doping concentration, get high Mobility (as) is generally considered to be difficult, which greatly limits the application of these materials.In 1978, Dingle et al. First reported the use of molecular beam epitaxy
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