选择掺杂相关论文
die，芯片，又称裸片。原意是晶体管或二极管的管芯，随着集成电路(IC)的出现，其涵义延伸到IC的管芯。封装、测试等产业群一般把wafer划片......
分子束外延最早是由G.Gunther于1958年提出来的[1]。其实质是一种非平衡条件下的真空沉积。简单说来,就是把要外延的有关材料放在......
针对热锻纯ＫＣｌ晶体中存在的晶粒长大和二次再结晶问题进行了ＫＣｌ：Ｓｒ￣（２＋）单晶的热锻研究。结果表明，锻压温度和润滑剂的选择是晶体锻压成功的关键因......
用提拉法生长了质量较高的Ａｌ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｃｒ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（简称Ａｌ∶ＢＳＯ和Ｃｒ∶ＢＳＯ）晶体，测定了掺杂ＢＳＯ晶体的吸收光谱。首次发现：Ａｌ∶ＢＳＯ（摩尔比）为０．１％的晶体的透过率（８０％）远高于纯ＢＳＯ晶体的透过......
我们报导了采用氯化物VPE首次成功地生长出选择掺杂In_(0.53)Ga_(0.47)As-InP异质结,并观察到二维电子气(TDEG)在4.2K时,其最大电......
分子束外延能够生长原子平滑的层、精确控制层厚度及掺杂的灵活性使其较容易地合成多组分、多层的异质结.然而,在较高的掺杂浓度下......
科学院半导体研究所利用国产的分子束外延(MBE)设备,继制备成功具有国际水平的高纯N型GaAs单晶薄膜之后,新近,又研制出高迁移率的......
已试制出具有p~+二栅和选择掺杂结构的低噪声AlGaAs/GaAs FET。采用了二维电子气的FET在MBE片上作成紧密间距电极平面结构。给出了......
描述了用于大规模集成电路的自对准高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,它是基于选择掺杂 GaAs/AzGaAs 异质结结构。其内部逻辑延迟在77......
本文报道了氯化物汽相外延生长Ga_(0.47)In_(0.53)As-InP异质结输运性质研究结果.4.2K下shubnikov-de Haas测量,Van de Pauw Hall......
一、引言在由未掺杂的窄禁带材料(如GaAs)和掺杂的n型宽禁带材料(如GaAlAs)组成的选择掺杂突变异质结构中,电子将从GaAlAs转移到......
本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获......
分子束外延（MBE）技术一直被用于制造新一代微波和光电子学器件。用超薄层结构或选择掺杂形成“带结构工程”并制备出人工结构的材料......
