【摘 要】
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用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下,Zn0.8Cd0.2Se/ZnSe量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律,并根据所得的Ee、Eh和Eb数据,计算出激子吸收峰的
【机 构】
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浙江大学物理系浙江杭州310027,浙江大学物理系浙江杭州310027浙江大学国家光学仪器工程技术研究中心浙江杭州310027
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用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下,Zn0.8Cd0.2Se/ZnSe量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律,并根据所得的Ee、Eh和Eb数据,计算出激子吸收峰的Stark移动.计算结果显示,随着外电场强度和量子阱宽度的增大,量子Stark效应变得更为显著.本文还把计算所得的Stark移动与从激子吸收光谱曲线中得到的实验数据进行了比较,当阱宽等于9 nm、电场为100 kV/cm时,两者符合得较好.
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