氩氧比相关论文
本文针对目前含钒生铁吹炼过程中脱碳之前先经脱钒，将钒氧化分离后在还原为单质，继而制备钒铁合金，工序冗长，钒回收率不高的现状，提出脱......
无线通信、光纤通信系统飞速发展，低频段已经被占满，必须向高频段发展。高频声表面波(SAW)器件使用频率的升高，使它在雷达、电子战、......
采用反应直流磁控溅射法,通过调控溅射过程中的氩氧比,在石英玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜,研究了溅射气氛及后处理条件对其微结构......
通过射频反应溅射的方法制备Al2O3薄膜,并研究其中AL和O的化学配比,并取得初步结果。实验以高纯Al作为靶材,高纯度O2为反应气体,在......
在不同氩氧比下,采用中频磁控溅射制备TiO2薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和可见光光度计分别测试了TiO2薄膜的晶体结......
通过射频反应磁控溅射在玻璃基片上制备TiO2薄膜。采用X射线衍射仪、Ranman光谱仪和原子力显微镜研究退火温度对薄膜晶体结构和表......
针对传统AOD配气方式的缺点,研究了基于魏季和等的脱碳精炼数学模型的配气模型,使AOD脱碳配气可根据钢水碳含量的变化自动调整氧氩......
以纯铝为靶材，在不同氩氧比例下，采用直流反应磁控溅射方法制备Al2O3薄膜。利用X射线衍射（XRD）、能谱（EDS）、扫描电镜（SEM）和精密阻抗分析......
通过射频反应磁控溅射在玻璃基片上制备TiO2薄膜。采用X射线衍射仪和Raman光谱仪研究退火温度对薄膜晶体结构的影响;还探讨了磁控......
本文采用磁控溅射法制备了用于电致变色器件的WO3薄膜，用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE.SEM)、紫外.可见分光光度计(UV.Vis)......
用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱等研究了溅射压强和......
探讨氩氧比对采用ZnO陶瓷靶材磁控溅射制备薄膜的影响。研究发现，不同氩氧比对薄膜的溅射率和电学性能影响较大，而对薄膜的晶体结构......
通过射频反应溅射的方法制备Al2O3薄膜,并研究其中AL和O的化学配比,并取得初步结果。实验以高纯Al作为靶材,高纯度O2为反应气体,在......
采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌（AZO）薄膜。利用X线衍射（XRD）、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研......
ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族直接带隙化合物材料，是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时，可得......
保持总的工作气压不变,在不同氩氧比条件下,采用射频磁控溅射法在铝电极层上制备了ZnO薄膜。用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和压......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体，禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，具有六方纤锌矿结构。ZnO薄膜具有广泛的应用，如Zn......
