【摘 要】
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最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由单晶硅制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014 VLSI技术研讨会上的研究人员们表示,未来,这种MOSFET将改用Ⅲ-Ⅴ
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最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由单晶硅制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014 VLSI技术研讨会上的研究人员们表示,未来,这种MOSFET将改用Ⅲ-Ⅴ族材料在硅基板上生长而成。
The highest performance MOSFETs will no longer be made of single-crystal silicon. According to researchers at the 2014 VLSI Technology Symposium recently held in Honolulu, Hawaii, USA, the MOSFET will be grown from a Group III-V material on a silicon substrate in the future.
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