【摘 要】
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用电子束蒸发MoNb的方法,制备了MoNb/SiO_2接触界面。用俄歇电子能谱(AES)测定该界面热处理前后各元素组分随深度的分布。从AES分析中发现:随着热处理温度的上升,MoNb/SiO_2
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用电子束蒸发MoNb的方法,制备了MoNb/SiO_2接触界面。用俄歇电子能谱(AES)测定该界面热处理前后各元素组分随深度的分布。从AES分析中发现:随着热处理温度的上升,MoNb/SiO_2界面中Mo,O渐渐出现再分布峰,形成Mo,O的富集区;Nb的富集区始终为平坦分布,并没有出现Nb的再分布峰。界面宽度由低温的1.5nm变到600℃的15nm;同时还发现600℃时界面呈现电阻性。这一异常现象是由于Mo在SiO_2界面中热稳定性差所导致的。
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