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在过去的半世纪中，集成电路产业经历了高速的发展。如今MOSFET的特征尺寸已经缩小到50纳米以下。短沟效应、强场效应、量子效应、各......
在市场需求的驱动下，集成电路在过去的几十年里得到迅猛发展。然而随着传统的MOS晶体管尺寸的进一步缩小，MOS器件面临着串联寄生电阻......
器件尺寸追随摩尔定律不断缩小到纳米尺度时，硅基CMOS器件的性能提升将受到来自物理和工艺的双重限制。锗材料以其更高、更加对称的......
纳米尺度器件中载流子的输运研究是当前的研究热点和难点。一方面纳米尺度器件因为其尺寸小于载流子的平均自由程,载流子的输运行......
研制了一种应用漂洗发射极晶体管和U型槽隔离技术的改进型肖特基晶体管逻辑电路(MSTL),它不仅具有标准STL高速度和ISL工艺简化的优......
