【摘 要】
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前言对高性能器件的需求使得在半导体制造中推介新型材料的速度大大加快了.事实上,铜、钽基阻挡层、低k电介质以及碳化硅蚀刻停止层等已经以极快的速度相继推出.更低k值的电
【机 构】
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前言对高性能器件的需求使得在半导体制造中推介新型材料的速度大大加快了.事实上,铜、钽基阻挡层、低k电介质以及碳化硅蚀刻停止层等已经以极快的速度相继推出.更低k值的电介质和阻挡层,以及自对准铜帽技术等更多变化将用于下几代器件的制造.可惜的是,半导体业将这些材料整合到生产环境中的能力已经远远落后于设计的需要.在本文中,我们将审视低k材料和阻挡层所带来的对整合工艺的难题,同时我们也将论证如何应对这些挑战.如图1所示,大部分关于整合的难题都出现在原材料之间的界面上.
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