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利用同步辐射光发射研究了Ｓｍ／ＧａＡｓ（１００）界面形成。高分辨的芯能级结构表明，在低覆盖度下，Ｓｍ与衬底的作用较弱，形成较突出的金属／半导体界面。结合理论模型，文中还详细地讨论了界面 形成和界面结构。
Sm在GaAs（100）表面的吸附和界面反应的SRPES研究
【摘 要】
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利用同步辐射光发射研究了Ｓｍ／ＧａＡｓ（１００）界面形成。高分辨的芯能级结构表明，在低覆盖度下，Ｓｍ与衬底的作用较弱，形成较突出的金属／半导体界面。结合理论模型，文中还详细地讨论了界面 形成和界面结
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年11期
【基金项目】
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国家自然科学基金,中国科学技术大学青年科学基金
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