【摘 要】
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通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的Zn O透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分析,所有薄膜均表现为六方纤锌矿结构,经过氢
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室,
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通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的Zn O透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分析,所有薄膜均表现为六方纤锌矿结构,经过氢气退火处理之后,薄膜的电学性能均得到提高,当Ga掺杂含量为5 at%时,得到薄膜的电阻率为3.410×10-3Ω·cm.利用可变入射角椭圆偏振光谱仪(VASE)在270~1 600 nm波长范围内研究了GZO薄膜折射率和消光系数的变化,采用双振子模型对实验数据进行拟合.
The effects of Ga doping on the structure, electrical and optical properties of GZO thin films were investigated by sol-gel technique. All the films showed hexagonal fiber Zinc ore structure after hydrogen annealing treatment, the electrical properties of the films are improved, when the Ga doping content of 5 at%, the resistivity of the film was 3.410 × 10-3Ω · cm. Using a variable angle of incidence elliptic polarization The change of refractive index and extinction coefficient of GZO thin film was investigated by spectrometer (VASE) in the wavelength range of 270-1 600 nm, and the experimental data were fitted by using the twin oscillator model.
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