2. 您的位置
3. 首页
4. 期刊论文
5. New dark current component of InGaAs／InP HPDs confirmed by DLTS

New dark current component of InGaAs／InP HPDs confirmed by DLTS

来源 :半导体光子学与技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hitsanmao

【摘 要】

：

The dark current of In0.47Ga0.53As/InP heterojunction photodiodes (HPDs)was analysed.We found that there exists a new dark current compo-nent-deep level-assiste

【作 者】

：

WANGKaiyuan XUWeihong 

【机 构】

：

Dept.ofElectronicEngineering,Dept.ofElectronicEngineering

【出 处】

：

半导体光子学与技术：英文版

【发表日期】

：

1995年1期

【关键词】

：

发光二极管 特征测度 暗电流 光纤通信 磷化铟 铟镓砷三元化合物 Photodiodes Characteristic Measurement Dark Cur 

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

The dark current of In0.47Ga0.53As/InP heterojunction photodiodes (HPDs)was analysed.We found that there exists a new dark current compo-nent-deep level-assisted tunneling current.DL TS was used to measure the In0.47Ga0.53As/InP HPDs .An electronic trap w

其他文献

发射机测试设备—常规方法和设备与现代替换方式的比较

期刊

发射机测试设备常规方法现代替换方式

功率电平能够达到精确

期刊

卫星通信地面站功率电平电平

移动体用FM多工广播的传输方式

期刊

多工广播调频传输立体声移动体

请求访问方式高清晰度电视光纤CATV系统

期刊

高清晰度电视光纤CATV系统

广播与加扰

期刊

有线电视广播加扰

演播室接地的基本原理

期刊

演播室播音室接地

Dependence of Threshold Voltage of a-Si:H TFT on a-SiNx:H Film^①

The relation between threshold voltage for hydrogenated amorphous silicon thin film transistors(a-Si:HTFTs)and deposition conditions for hydrogenated amorphous

期刊

阀电压液晶显示器氮硅化合物氢化化学气相沉积a-Si:H TFTa-SiNx:H FilmThreshold Voltage

Technique of Position Sensitive Detector with Alternating Light Source^①

The signal processing circuits of position sensitive detector(PSD)with alternating light source are presented.The measuring device of PSD with alternating light

期刊

光噪信号光源定位灵敏检测器信号处理

Implant Compositional Disordering on InGaAs／InP MQW Structures

Some new results of implant disordering on InP based MQW structures by im-planted compositional disordering are presented.The energy shift of PL peak depends on

期刊

量子势阱Ⅲ-Ⅴ族半导体离子注入MBEQuantum Wells Ⅲ-Ⅴ Semiconductors MBE Ion Implantation

Efficiency analysis of a—SiC：H thin film light emitting diodes

The hole injection ,the radiative recombination and the device lumi-nescent efficiencies of amorphous silicon carbide thin film p-I-n junction light emit-ting d

期刊

发光二极管碳化硅薄膜注入系数Amorphous SemiconductorsThin Film DevicesLight Emitting Diod