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采用固相法制备Ho^3+离子掺杂铋层状结构Na0.5Bi8.5-xHoxTi7O27(NBT-BIT-xHo^3+,0≤x≤0.02),研究了不同Ho^3+含量对样品的结构、电学与上转换发光性能的影响。所有样品均为单相的共生结构,Ho^3+掺杂未引入其他杂相;适量Ho^3+离子掺杂使样品的居里温度升高、介电损耗降低、压电常数d33得到提高;当x=0.01时,样品具有最佳的综合电学性能,介电损耗tanδ=0.78%、压电性能d33=21pC/N、Qm=2887。在980 nm的红外激光对NBT-BIT-xH