【摘 要】
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本文介绍了一种φ100mm的射频溅射用平面磁控靶,内装可灵活调整的钐钴久磁铁,2KV时淀积速率可达2.6μm/h,将其用于制取a-Si:H光电导靶面取得了较好的结果,并对薄膜的厚度分布
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本文介绍了一种φ100mm的射频溅射用平面磁控靶,内装可灵活调整的钐钴久磁铁,2KV时淀积速率可达2.6μm/h,将其用于制取a-Si:H光电导靶面取得了较好的结果,并对薄膜的厚度分布、腐蚀区的形成作了理论分析,且与实验结果比较一致。
In this paper, a planar magnetron target of φ100mm for RF sputtering is introduced, and a flexible samarium cobalt permanent magnet with a deposition rate of 2.6μm / h at 2KV can be used to fabricate a-Si: H photoelectric The results show that the target surface has good results, and the thickness distribution of the film and the formation of the corrosion zone are theoretically analyzed, and the results are in good agreement with the experimental results.
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