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利用Synopsys公司的Sentaurus TCAD软件,针对Si（100）面的〈100〉和〈110〉沟道,系统研究了张/压应力施加在MOS器件不同方向上对载流子迁移率的影响,同时给出了收益表格以供参考。
应力类型与方向和沟道晶向对载流子迁移率的影响
【摘 要】
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利用Synopsys公司的Sentaurus TCAD软件,针对Si（100）面的〈100〉和〈110〉沟道,系统研究了张/压应力施加在MOS器件不同方向上对载流子迁移率的影响,同时给出了收益表格以供参考
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院
【出 处】
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电子元器件应用
【发表日期】
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2010年8期
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